应用材料公司在芯片布线领域取得重大突破,驱动逻辑微缩进入3 纳米及以下技术节点

      6月17日应用材料公司推出了一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术,可微缩到3纳米及以下技术节点。

      应用材料公司全新的Endura®CopperBarrierSeedIMS™解决方案在高真空条件下将七种不同工艺技术集成到了一个系统中,从而使芯片性能和功耗得到改善。

      虽然晶体管尺寸缩小能够使其性能提升,但这对互连布线中的影响却恰恰相反:互连线越细,电阻越大,导致性能降低和功耗增加。从7纳米节点到3纳米节点,如果没有材料工程技术上的突破,互连通孔电阻将增加10倍,抵消了晶体管缩小的优势。

      应用材料公司称其开发了一种名为Endura®CopperBarrierSeedIMS™的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。

       其中,ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积,省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术,可在窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案,通孔接触界面的电阻降低了50%,芯片性能和功率得以改善,逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。

      应用材料表示,这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率和面积成本。Endura Copper Barrier Seed IMS系统现已被客户运用在全球领先的逻辑节点代工厂生产中。
来源:应用材料